BSC022N03SG
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSC022N03SG中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 50.0 A
耗散功率 2.8W Ta, 104W Tc
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 8290pF @15VVds
耗散功率Max 2.8W Ta, 104W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSC022N03SG引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSC022N03SG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC022N03SG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号BSC022N03SG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSC022N03SG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 8-PowerTDFN | 当前型号 | OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS™2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： BSC022N03S 品牌： 英飞凌 封装： TDSON N-CH 30V 50A 7.49nF | 类似代替 | OptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-Transistor | BSC022N03SG和BSC022N03S的区别 |