锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BTS282Z E3180A

BTS282Z E3180A

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon TEMPFET™ MOSFET,带热控开关Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET,带集成片上热传感器,该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流晶体管的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。

TEMPFET™ MOSFET,带热控开关

Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET,带集成片上热传感器,该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。


得捷:
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7


立创商城:
BTS282Z E3180A


欧时:
### Infineon TEMPFET™ MOSFET,带热控开关Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET,带集成片上热传感器,该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流晶体管的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。


贸泽:
MOSFET N-Ch 49V 13A TO220-7


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin7+Tab TO-220 SMD T/R


儒卓力:
**HSS 6,5mOhm 49V TO263-7-1 SMD **


罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 49V 80A Automotive 8-Pin7+Tab TO-220 SMD T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7


BTS282Z E3180A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 W

阈值电压 1.6 V

漏源极电压Vds 49 V

上升时间 37 ns

输入电容Ciss 4800pF @25VVds

下降时间 36 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TO-263-8

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 MOSFET with temperature sensor

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BTS282Z E3180A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BTS282Z E3180A
型号 制造商 描述 购买
BTS282Z E3180A Infineon 英飞凌 Infineon TEMPFET™ MOSFET,带热控开关 Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET,带集成片上热传感器,该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流晶体管的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。 搜索库存
替代型号BTS282Z E3180A
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BTS282Z E3180A

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263-8

当前型号

Infineon TEMPFET™ MOSFET,带热控开关Infineon TEMPFET™ 是逻辑电平 N 通道功率 MOSFET,带集成片上热传感器,该传感器可在芯片温度超过 160°C 时操作。 温度感应闸流晶体管的阳极和阴极可从功率 MOSFET 进行访问和隔离。

当前型号

型号: BTS282ZE3180AATMA2

品牌: 英飞凌

封装: TO-263-7 N-CH 49V 80A

功能相似

Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282ZE3180AATMA2, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 D2PAK TO-263封装

BTS282Z E3180A和BTS282ZE3180AATMA2的区别