BSP316PE6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOS小信号三极管特性 SIPMOS Small-Signal-Transistor Feature

表面贴装型 P 通道 100 V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

得捷:
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4

BSP316PE6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -680 mA

耗散功率 1.8W Ta

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 680 mA

上升时间 7.50 ns

输入电容Ciss 146pF @25VVds

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BSP316PE6327引脚图与封装图

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