BSO4822
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSO4822中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 12.7 A
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 12.7A
输入电容Ciss 1640pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSO4822引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BSO4822
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSO4822 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 30V 12.7A | 当前型号 | 的OptiMOS小信号三极管 OptiMOS Small-Signal-Transistor | 当前型号 |
| 型号： STS12NF30L 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 30V 12A 9mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STS12NF30L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 30 V, 0.008 ohm, 10 V, 1 V | BSO4822和STS12NF30L的区别 |
| 型号： PHK12NQ03LT,518 品牌： 恩智浦 封装： SO N-Channel 30V 11.8A | 功能相似 | PHK 系列 30 V 14 mΩ 2.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-96-1 | BSO4822和PHK12NQ03LT,518的区别 |
| 型号： STS12NH3LL 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 30V 12A 8mohms | 功能相似 | N沟道30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO- 8超低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFET | BSO4822和STS12NH3LL的区别 |