BUZ10中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 23.0 A
漏源极电阻 60.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
输入电容 900 pF
漏源极电压Vds 50 V
漏源击穿电压 50.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 23.0 A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 900pF @25VVds
额定功率Max 75 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 75W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
BUZ10引脚图与封装图
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在线购买BUZ10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUZ10 | ST Microelectronics 意法半导体 | N - CHANNEL 50V - 0.06W - 23A TO- 220的STripFET ] MOSFET N - CHANNEL 50V - 0.06W - 23A TO-220 STripFET] MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BUZ10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUZ10 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 50V 23A 60mΩ 900pF | 当前型号 | N - CHANNEL 50V - 0.06W - 23A TO- 220的STripFET ] MOSFET N - CHANNEL 50V - 0.06W - 23A TO-220 STripFET] MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IRFR024NTRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 55V 17A | 功能相似 | INFINEON IRFR024NTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V | BUZ10和IRFR024NTRPBF的区别 |
| 型号： IRFZ24N 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 55V 17A 70mΩ | 功能相似 | N沟道 55V 17A | BUZ10和IRFZ24N的区别 |