BUK9518-55,127
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BUK9518-55,127中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 57A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
下降时间 50 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUK9518-55,127引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BUK9518-55,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK9518-55,127 | NXP 恩智浦 | TO-220AB N-CH 55V 57A | 搜索库存 |
替代型号BUK9518-55,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK9518-55,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220AB N-CH 55V 57A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 55V 57A | 当前型号 |
| 型号： BUK9518-55A,127 品牌： 恩智浦 封装： TO-220-3 N-CH 55V 61A | 类似代替 | TO-220AB N-CH 55V 61A | BUK9518-55,127和BUK9518-55A,127的区别 |
| 型号： BUK9518-55 品牌： 恩智浦 封装： SOT-78 | 类似代替 | 的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FET | BUK9518-55,127和BUK9518-55的区别 |