BSN254,126
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BSN254,126中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1W Ta
漏源极电压Vds 250 V
输入电容Ciss 120pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
外形尺寸
封装 TO-92-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSN254,126引脚图与封装图
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在线购买BSN254,126
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSN254,126 | NXP 恩智浦 | MOSFET N-CH 250V 310mA SOT54 | 搜索库存 |
替代型号BSN254,126
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSN254,126 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-226-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 250V 310mA SOT54 | 当前型号 |
| 型号： ZVN2106A 品牌： 美台 封装： TO-92-3 N-Channel 60V 450mA 2Ω | 功能相似 | DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V | BSN254,126和ZVN2106A的区别 |
| 型号： ZVN4206A 品牌： 美台 封装： TO-92-3 N-Channel 60V 600mA 1.5Ω 100pF | 功能相似 | ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92 | BSN254,126和ZVN4206A的区别 |
| 型号： BS250P 品牌： 美台 封装： TO-226-3 P-Channel 45V 230mA 14Ω | 功能相似 | BS250P 袋装 | BSN254,126和BS250P的区别 |