BUK9520-55,127

NXP(恩智浦) 分立器件

TO-220AB N-CH 55V 52A

N-Channel 55V 52A Tc 116W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 55V 52A TO220AB

贸泽:
MOSFET BUK9520-55/SOT78/RAILH//

BUK9520-55,127中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 20 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 116 W

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 52A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 2400pF @25VVds

下降时间 70 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 116W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.3 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUK9520-55,127引脚图与封装图

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BUK9520-55,127	NXP 恩智浦	TO-220AB N-CH 55V 52A	搜索库存

替代型号BUK9520-55,127

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BUK9520-55,127 品牌： NXP 恩智浦封装： TO-220-3 N-CH 55V 52A	当前型号	TO-220AB N-CH 55V 52A	当前型号
型号： BUK9520-55A,127 品牌：恩智浦封装： TO-220-3 N-CH 55V 54A	类似代替	TO-220AB N-CH 55V 54A	BUK9520-55,127和BUK9520-55A,127的区别
型号： BUK9520-55 品牌：恩智浦封装： SOT-78 N-CH 55V 52A	类似代替	的TrenchMOS晶体管逻辑电平场效应管 TrenchMOS transistor Logic level FET	BUK9520-55,127和BUK9520-55的区别
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