BUK965R8-100E
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BUK965R8-100E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.00445 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 357 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 100 V
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 Exempt
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BUK965R8-100E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BUK965R8-100E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK965R8-100E | NXP 恩智浦 | NXP BUK965R8-100E 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.00445 ohm, 10 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号BUK965R8-100E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK965R8-100E 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-263 N-Channel | 当前型号 | NXP BUK965R8-100E 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.00445 ohm, 10 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： STH180N10F3-2 品牌： 意法半导体 封装： H2PAK-2 N-Channel | 功能相似 | N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | BUK965R8-100E和STH180N10F3-2的区别 |