BH18RB1WGUT-E2
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BH18RB1WGUT-E2中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电压 1.8 V
输出电流 150 mA
供电电流 72 µA
耗散功率 0.53 W
跌落电压 100 mV
输入电压Max 5.5 V
输入电压Min 2.5 V
输出电压Min 1.8 V
输出电流Max 0.15 A
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 530 mW
输入电压 2.2V ~ 5.5V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 WFBGA-4
外形尺寸
长度 1.04 mm
宽度 1 mm
高度 0.39 mm
封装 WFBGA-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BH18RB1WGUT-E2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| BH18RB1WGUT-E2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 1路150毫安CMOS LDO稳压器 1ch 150mA CMOS LDO Regulators | 搜索库存 |