BU1BTD2WNVX-TL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BU1BTD2WNVX-TL中文资料参数规格
技术参数
输出接口数 1
输出电压 1.15 V
输出电流 200 mA
供电电流 60 µA
耗散功率 560 mW
静态电流 0.035 mA
跌落电压 0.8V @200mA
输入电压Max 6 V
输入电压Min 1.7 V
输出电压Min 1.15 V
输出电流Max 0.2 A
耗散功率Max 560 mW
精度 ±1 %
输入电压 ≤6 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 UDFN-4
外形尺寸
封装 UDFN-4
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 85℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BU1BTD2WNVX-TL引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| BU1BTD2WNVX-TL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | LDO Regulator POS 1.15V 0.2A 4Pin SSON Embossed T/R | 搜索库存 |