BC857BS,115
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BC857BS,115中文资料参数规格
技术参数
频率 100 MHz
针脚数 6
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSSOP-6
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
香港进出口证 NLR
BC857BS,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC857BS,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC857BS,115 | NXP 恩智浦 | NXP BC857BS,115 双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363 | 搜索库存 |
替代型号BC857BS,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857BS,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-363 PNP 300mW | 当前型号 | NXP BC857BS,115 双极晶体管阵列, 双PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 200 hFE, SOT-363 | 当前型号 |
| 型号： BC857BS,135 品牌： 恩智浦 封装： 6-TSSOP PNP 0.3W | 类似代替 | TSSOP PNP 45V 0.1A | BC857BS,115和BC857BS,135的区别 |
| 型号： BC857BDW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -45V -100mA 380mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC857BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363 | BC857BS,115和BC857BDW1T1G的区别 |
| 型号： BC857BS-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 PNP 200mW | 功能相似 | 三极管 | BC857BS,115和BC857BS-7-F的区别 |