BCR183SE6327BTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCR183SE6327BTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCR183SE6327BTSA1引脚图与封装图
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在线购买BCR183SE6327BTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCR183SE6327BTSA1 | Infineon 英飞凌 | SOT-363 PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号BCR183SE6327BTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCR183SE6327BTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 6-VSSOP PNP | 当前型号 | SOT-363 PNP 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： PUMB11,115 品牌： 安世 封装： 6-TSSOP | 功能相似 | Nexperia PUMB11,115 双 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 UMT封装 | BCR183SE6327BTSA1和PUMB11,115的区别 |
| 型号： UMB11NTN 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 PNP -50V -50mA 0.15W | 功能相似 | UMB11NTN 编带 | BCR183SE6327BTSA1和UMB11NTN的区别 |