BA12004BF-E2
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
额定功率 0.62 W
极性 NPN
耗散功率 620 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 1000 @350mA, 2V
额定功率Max 620 mW
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 620 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-16
封装 SOIC-16
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BA12004BF-E2 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 缓冲器和线路驱动器 RECOMMENDED ALT 755-BA12004DF-ZE2 | 搜索库存 |