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BD5230FVE-TR

BD5230FVE-TR

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 主动器件

ROHM  BD5230FVE-TR  电压探测器, 漏极开路, 自由延迟时间设定, 3.0V复位, 0.95V-10V输入, VSOF-5

电压探测器和重置电路,ROHM BD52xx

### 微处理器电源电压监控和复位电路

电源电压监测和监控电路,用于台式机、便携式计算机和笔记本电脑、测试和测量仪器、便携式电池供电设备和多输出电源。

电源电压探测器

电源电压监控器

电源监控器

微处理器监控

微处理器电压监控器

微控制器复位电路


得捷:
IC SUPERVISOR 1 CHANNEL 5VSOF


欧时:
### 电压探测器和重置电路,ROHM BD52xx### 微处理器电源电压监控和复位电路电源电压监测和监控电路,用于台式机、便携式计算机和笔记本电脑、测试和测量仪器、便携式电池供电设备和多输出电源。电源电压探测器 电源电压监控器 电源监控器 微处理器监控 微处理器电压监控器 微控制器复位电路


贸泽:
Supervisory Circuits CMOS DETEC VOLT 3.0V


艾睿:
Processor Supervisor 3V 1 Active Low/Open Drain 5-Pin VSOF T/R


安富利:
Volt Supervisor Detect W/Delay Circuit 2.3V to 6V 5-Pin VSOF T/R


Chip1Stop:
Processor Supervisor 3V 1 Active Low/Open Drain 5-Pin VSOF T/R


儒卓力:
**DETECTOR 3,0V 0,85µA VSOF5 **


DeviceMart:
IC DETECTOR VOLT 3.0V ODRN 5VSOF


Win Source:
IC DETECTOR VOLT 3.0V ODRN 5VSOF


BD5230FVE-TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 10.0V max

针脚数 5

耗散功率 210 mW

阈值电压 3 V

复位电压Min 2.97 V

复位电压Max 3.03 V

工作温度Max 105 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 210 mW

精度 1 %

电源电压Max 10 V

电源电压Min 1.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 VSOF-5

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.2 mm

高度 0.6 mm

封装 VSOF-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BD5230FVE-TR引脚图与封装图
BD5230FVE-TR引脚图

BD5230FVE-TR引脚图

BD5230FVE-TR封装图

BD5230FVE-TR封装图

BD5230FVE-TR封装焊盘图

BD5230FVE-TR封装焊盘图

在线购买BD5230FVE-TR
型号 制造商 描述 购买
BD5230FVE-TR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 ROHM  BD5230FVE-TR  电压探测器, 漏极开路, 自由延迟时间设定, 3.0V复位, 0.95V-10V输入, VSOF-5 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD5230FVE-TR

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: VSOF-5 10V 5Pin

当前型号

ROHM  BD5230FVE-TR  电压探测器, 漏极开路, 自由延迟时间设定, 3.0V复位, 0.95V-10V输入, VSOF-5

当前型号

型号: BD5230FVE

品牌: 罗姆半导体

封装:

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BD5230FVE-TR和BD5230FVE的区别