BU4309G-TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BU4309G-TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.54 W
阈值电压 0.9 V
复位电压Min 0.891 V
复位电压Max 0.909 V
耗散功率Max 540 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SSOP-5
外形尺寸
封装 SSOP-5
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BU4309G-TR引脚图与封装图
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在线购买BU4309G-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BU4309G-TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 低压免费延时时间设定CMOS电压检测器IC系列 Low Voltage Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series | 搜索库存 |
替代型号BU4309G-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BU4309G-TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SSOP 5Pin | 当前型号 | 低压免费延时时间设定CMOS电压检测器IC系列 Low Voltage Free Delay Time Setting CMOS Voltage Detector IC Series | 当前型号 |
| 型号： NCP302LSN09T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 800mV 5Pin | 功能相似 | 电压检测器系列具有可编程延迟 Voltage Detector Series with Programmable Delay | BU4309G-TR和NCP302LSN09T1G的区别 |