BCR 162 B6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

TRANS PREBIAS PNP 200mW SOT23-3

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

BCR 162 B6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

击穿电压集电极-发射极 50 V

最小电流放大倍数hFE 20 @5mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR 162 B6327引脚图与封装图

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