BD4932FVE-TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BD4932FVE-TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 210 mW
阈值电压 3.2 V
复位电压Min 3.152 V
复位电压Max 3.248 V
工作温度Max 105 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 100 mW
精度 1 %
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 VSOF-5
外形尺寸
封装 VSOF-5
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 105℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BD4932FVE-TR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BD4932FVE-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BD4932FVE-TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Processor Supervisor 3.2V 1 CMOS Automotive 5Pin VSOF T/R | 搜索库存 |
替代型号BD4932FVE-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD4932FVE-TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VSOF-5 3.2V | 当前型号 | Processor Supervisor 3.2V 1 CMOS Automotive 5Pin VSOF T/R | 当前型号 |
| 型号： BD4932FVE 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 电压检测器IC Voltage Detector IC | BD4932FVE-TR和BD4932FVE的区别 |