锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BCR158WE6327HTSA1

BCR158WE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-323 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3


得捷:
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3


BCR158WE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR158WE6327HTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCR158WE6327HTSA1
型号 制造商 描述 购买
BCR158WE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 SOT-323 PNP 50V 100mA 搜索库存
替代型号BCR158WE6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCR158WE6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-323 PNP

当前型号

SOT-323 PNP 50V 100mA

当前型号

型号: PDTA123JU,115

品牌: 安世

封装: SOT-323-3

功能相似

Nexperia PDTA123JU,115 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 UMT封装

BCR158WE6327HTSA1和PDTA123JU,115的区别