BU4210FVE-TR
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
主动器件
BU4210FVE-TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 210 mW
阈值电压 1 V
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min 40 ℃
精度 1 %
电源电压Max 7 V
电源电压Min 0.9 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-5
外形尺寸
封装 SOT-5
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BU4210FVE-TR引脚图与封装图 
BU4210FVE-TR引脚图
BU4210FVE-TR封装图
BU4210FVE-TR封装焊盘图
在线购买BU4210FVE-TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BU4210FVE-TR | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Volt Supervisor Detect W/Delay Circuit 0.9V to 4.8V 5Pin VSOF T/R | 搜索库存 |
替代型号BU4210FVE-TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BU4210FVE-TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： VSOF-5 | 当前型号 | Volt Supervisor Detect W/Delay Circuit 0.9V to 4.8V 5Pin VSOF T/R | 当前型号 |
| 型号： BU4210FVE 品牌： 罗姆半导体 封装： | 功能相似 | 低电压检测IC，具有可调节的输出延迟 Low Voltage Detector IC with Adjustable Output Delay | BU4210FVE-TR和BU4210FVE的区别 |