BC 856A E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

- 双极 BJT - 单 PNP 65 V 100 mA 250MHz 330 mW 表面贴装型 SOT-23-3

得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

BC 856A E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -65.0 V

额定电流 -100 mA

耗散功率 330 mW

增益频宽积 250 MHz

击穿电压集电极-发射极 65 V

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC 856A E6327引脚图与封装图

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BC 856A E6327	Infineon 英飞凌	Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R	搜索库存

替代型号BC 856A E6327

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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