BCP5116H6327XTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCP5116H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=45 V, HFE:25, 125 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

通用 PNP ，

得捷:
TRANS PNP 45V 1A SOT223-4

欧时:
Infineon BCP5116H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=45 V, HFE:25, 125 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTORS

艾睿:
TRANS PNP 45V 1A SOT223

安富利:
Trans GP BJT PNP 45V 1A 4-Pin SOT-223 T/R

BCP5116H6327XTSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP5116H6327XTSA1引脚图与封装图

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BCP5116H6327XTSA1	Infineon 英飞凌	Infineon BCP5116H6327XTSA1 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=45 V, HFE:25, 125 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装	搜索库存