BCW 66G E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BCW 66G E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 800 mA
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCW 66G E6327引脚图与封装图
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在线购买BCW 66G E6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCW 66G E6327 | Infineon 英飞凌 | TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23 | 搜索库存 |
替代型号BCW 66G E6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCW 66G E6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 45V 800mA | 当前型号 | TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23 | 当前型号 |
| 型号： BCW66KGE6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-23-3 NPN 0.5W | 类似代替 | Infineon BCW66KGE6327HTSA1 , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:40, 170 MHz, 3引脚 SOT-23封装 | BCW 66G E6327和BCW66KGE6327HTSA1的区别 |