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BC 856BW H6433

BC 856BW H6433

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor PNP 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3


得捷:
TRANS PNP 65V 0.1A SOT323


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 65V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount


BC 856BW H6433中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 65 V

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC 856BW H6433引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC 856BW H6433 Infineon 英飞凌 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR 搜索库存
替代型号BC 856BW H6433
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC 856BW H6433

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-323

当前型号

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR

当前型号

型号: BC856BWT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -65V -100mA 150mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC856BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE

BC 856BW H6433和BC856BWT1G的区别

型号: BC856BW-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-323 65V 100mA 200mW

功能相似

Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R

BC 856BW H6433和BC856BW-7-F的区别

型号: BC856BW,115

品牌: 恩智浦

封装: SC-70 PNP 0.2W

功能相似

NXP  BC856BW,115  单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE

BC 856BW H6433和BC856BW,115的区别