击穿电压集电极-发射极 65 V
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC 856BW H6433 | Infineon 英飞凌 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC 856BW H6433 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-323 | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BC856BWT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-323 PNP -65V -100mA 150mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC856BWT1G 单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE | BC 856BW H6433和BC856BWT1G的区别 | |
型号: BC856BW-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-323 65V 100mA 200mW | 功能相似 | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/R | BC 856BW H6433和BC856BW-7-F的区别 | |
型号: BC856BW,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 PNP 0.2W | 功能相似 | NXP BC856BW,115 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 220 hFE | BC 856BW H6433和BC856BW,115的区别 |