BC 856B E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BC 856B E6327中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 65 V
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC 856B E6327引脚图与封装图
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在线购买BC 856B E6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC 856B E6327 | Infineon 英飞凌 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 65 V 100 mA | 搜索库存 |
替代型号BC 856B E6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC 856B E6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-23 | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP 65 V 100 mA | 当前型号 |
| 型号： BC856BLT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -65V -100mA 300mW | 功能相似 | PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管 | BC 856B E6327和BC856BLT3G的区别 |
| 型号： BC856B,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 250mW | 功能相似 | NXP BC856B,215 单晶体管 双极, 通用, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE | BC 856B E6327和BC856B,215的区别 |