BCP 56-10 E6433

Infineon(英飞凌) 分立器件

TRANS NPN 80V 1A SOT-223

- 双极 BJT - 单 NPN 100MHz 表面贴装型 PG-SOT223-4

得捷:
TRANS NPN 80V 1A SOT223-4

艾睿:
Trans GP BJT NPN 80V 1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

BCP 56-10 E6433中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP 56-10 E6433引脚图与封装图

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在线购买BCP 56-10 E6433

型号	制造商	描述	购买
BCP 56-10 E6433	Infineon 英飞凌	TRANS NPN 80V 1A SOT-223	搜索库存

替代型号BCP 56-10 E6433

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BCP 56-10 E6433 品牌： Infineon 英飞凌封装： SOT-223 80V 1A	当前型号	TRANS NPN 80V 1A SOT-223	当前型号
型号： BCP5610TA 品牌：美台封装： TO-261-4 2W	类似代替	Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R	BCP 56-10 E6433和BCP5610TA的区别
型号： BCP56-10T1G 品牌：安森美封装： SOT-223 NPN 80V 1A 1500mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR BCP56-10T1G 单晶体管双极, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 63 hFE	BCP 56-10 E6433和BCP56-10T1G的区别
型号： BCP56,115 品牌：恩智浦封装： SC-73 NPN 960mW	功能相似	NPN 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors	BCP 56-10 E6433和BCP56,115的区别