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BC860BWE6327HTSA1

BC860BWE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SOT-323 PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3


得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323


BC860BWE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC860BWE6327HTSA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC860BWE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 SOT-323 PNP 45V 0.1A 搜索库存
替代型号BC860BWE6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC860BWE6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-323 PNP

当前型号

SOT-323 PNP 45V 0.1A

当前型号

型号: BC860BWH6327XTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT323 PNP 250mW

完全替代

SOT-323 PNP 45V 0.1A

BC860BWE6327HTSA1和BC860BWH6327XTSA1的区别

型号: BC857BWH6327XTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-323 PNP 250mW

完全替代

Infineon BC857BWH6327XTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:220, 250 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装

BC860BWE6327HTSA1和BC857BWH6327XTSA1的区别

型号: BC857BWH6778XTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-323 PNP

完全替代

Infineon BC857BWH6778XTSA1 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:125, 250 MHz, 3引脚 SOT-323 SC-70封装

BC860BWE6327HTSA1和BC857BWH6778XTSA1的区别