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BD677

塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS NPN SILICON 60, 80, 100 VOLTS, 40 WATTS

This series of plastic, medium−power silicon NPN Darlington transistors can be used as output devices in complementary general−purpose amplifier applications.

Features

•High DC Current Gain:

hFE = 750 Min @ IC

      = 1.5 and 2.0 Adc

•Monolithic Construction

•BD675, 675A, 677, 677A, 679, 679A, 681 are complementary with BD676, 676A, 678, 678A, 680, 680A, 682

•, 677A, 679, 679A are equivalent to MJE 800, 801, 802, 803

•Pb−Free Packages are Available
.
BD677中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -4.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 750 @1.5A, 3V

额定功率Max 40 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-126-3

外形尺寸

封装 TO-126-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

最小包装 500

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BD677引脚图与封装图
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在线购买BD677
型号 制造商 描述 购买
BD677 ON Semiconductor 安森美 塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons 搜索库存
替代型号BD677
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BD677

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-225 NPN -60V -4A

当前型号

塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

当前型号

型号: BD677G

品牌: 安森美

封装: TO-225 NPN -60V -4A 40000mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BD677G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 40 W, 4 A, 750 hFE

BD677和BD677G的区别

型号: BD677AG

品牌: 安森美

封装: TO-225 NPN -60V -4A 40000mW

类似代替

塑料中功率NPN硅达林顿 Plastic Medium−Power Silicon NPN Darlingtons

BD677和BD677AG的区别

型号: BD675AS

品牌: 安森美

封装: TO-126-3 40000mW

类似代替

Trans Darlington NPN 45V 4A 40000mW 3Pin3+Tab TO-126 Bag

BD677和BD675AS的区别