BC 807-25 E6433

Infineon(英飞凌) 分立器件

TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

- 双极 BJT - 单 PNP 45 V 500 mA 200MHz 330 mW 表面贴装型 SOT-23-3

得捷:
TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

BC 807-25 E6433中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -500 mA

耗散功率 330 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V

额定功率Max 330 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC 807-25 E6433引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BC 807-25 E6433

型号	制造商	描述	购买
BC 807-25 E6433	Infineon 英飞凌	TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23	搜索库存

替代型号BC 807-25 E6433

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BC 807-25 E6433 品牌： Infineon 英飞凌封装： SOT-23 -45V -500mA	当前型号	TRANS PNP 45V 0.5A SOT-23	当前型号
型号： BC807-25LT1G 品牌：安森美封装： SOT-23 P-Channel 300mW	功能相似	ON SEMICONDUCTOR BC807-25LT1G 单晶体管双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -500 mA, 160 hFE	BC 807-25 E6433和BC807-25LT1G的区别
型号： BC807-25-7-F 品牌：美台封装： SOT-23-3 PNP 310mW	功能相似	Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 3Pin SOT-23 T/R	BC 807-25 E6433和BC807-25-7-F的区别
型号： BC807-25,215 品牌：恩智浦封装： TO23-6AB PNP 250mW	功能相似	NXP BC807-25,215 单晶体管双极, 通用, PNP, -45 V, 80 MHz, 250 mW, -500 mA, 160 hFE	BC 807-25 E6433和BC807-25,215的区别