BC 857BT E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BC 857BT E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V
额定功率Max 330 mW
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-75
外形尺寸
封装 SC-75
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC 857BT E6327引脚图与封装图
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在线购买BC 857BT E6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC 857BT E6327 | Infineon 英飞凌 | TRANS PNP 45V 0.1A SC-75 | 搜索库存 |
替代型号BC 857BT E6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC 857BT E6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SC-75 -45V -100mA | 当前型号 | TRANS PNP 45V 0.1A SC-75 | 当前型号 |
| 型号： BC857BTT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-416 PNP -45V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC857BTT1G 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 150 hFE | BC 857BT E6327和BC857BTT1G的区别 |