击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 160 @100mA, 1V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
BC 807-25W H6327 | Infineon 英飞凌 | TRANS PNP 45V 0.5A SOT323 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: BC 807-25W H6327 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SC-70 | 当前型号 | TRANS PNP 45V 0.5A SOT323 | 当前型号 | |
型号: BC807-25WT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-323 PNP 460mW | 功能相似 | On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管 | BC 807-25W H6327和BC807-25WT1G的区别 | |
型号: BC807-25W,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-70 PNP 200mW | 功能相似 | PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors | BC 807-25W H6327和BC807-25W,115的区别 |