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BDV65B

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DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

The 10 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor is for use as an output devices in complementary general purpose amplifier applications. The NPN and BDV64B PNP are complementary devices.

Features

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High DC Current Gain HFE = 1000 min. @ 5 Adc
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Monolithic Construction with Built-in Base Emitter Shunt Resistors
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These devices are available in Pb-free packages. Specifications herein apply to both standard and Pb-free devices. Please see our website at www.onsemi.com for specific Pb-free orderable part numbers, or contact your local sales office or representative.
BDV65B中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 10.0 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 10A

最小电流放大倍数hFE 1000 @5A, 4V

额定功率Max 125 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-218-3

外形尺寸

封装 TO-218-3

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 30

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BDV65B引脚图与封装图
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在线购买BDV65B
型号 制造商 描述 购买
BDV65B ON Semiconductor 安森美 DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 搜索库存
替代型号BDV65B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BDV65B

品牌： ON Semiconductor 安森美

封装： TO-218 NPN 100V 10A

当前型号

DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

当前型号

型号： BDV65BG

品牌： 安森美

封装： TO-218 NPN 100V 10A 125000mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  BDV65BG  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE

BDV65B和BDV65BG的区别

型号： BDV64BG

品牌： 安森美

封装： TO-218 PNP -100V -10A 125000mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BDV64BG  单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 125 W, -10 A, 1000 hFE

BDV65B和BDV64BG的区别

型号： BDW83C

品牌： 意法半导体

封装： TO-218 NPN 100V 15A 130000mW

功能相似

互补硅功率达林顿晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

BDV65B和BDW83C的区别