BC558BZL1

ON Semiconductor(安森美) 分立器件

放大器晶体管 Amplifier Transistors

- 双极 BJT - 单 PNP 30 V 100 mA 360MHz 625 mW 通孔 TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 30V 0.1A TO92

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V PNP

罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo

BC558BZL1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

增益频宽积 360 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

BC558BZL1引脚图与封装图

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替代型号BC558BZL1

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BC558BZL1 品牌： ON Semiconductor 安森美封装： TO-92 PNP -30V -100mA	当前型号	放大器晶体管 Amplifier Transistors	当前型号
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型号： BC558BRL1 品牌：安森美封装： TO-92 PNP -30V -100mA	完全替代	放大器晶体管 Amplifier Transistors	BC558BZL1和BC558BRL1的区别
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