BC558BRL1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC558BRL1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC558BRL1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC558BRL1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -100mA | 当前型号 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | 当前型号 |
| 型号： BC558BRL1G 品牌： 安森美 封装： TO-92 PNP -30V -100mA | 完全替代 | 放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon | BC558BRL1和BC558BRL1G的区别 |
| 型号： BC558BRL 品牌： 安森美 封装： TO-92 -30V -100mA | 完全替代 | 放大器晶体管 Amplifier Transistors | BC558BRL1和BC558BRL的区别 |