额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC640ZL1 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 PNP -80V -500mA | 当前型号 | 高电流晶体管 High Current Transistors | 当前型号 | |
型号: BC640TA 品牌: 安森美 封装: TO-92 1000mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC640TA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | BC640ZL1和BC640TA的区别 | |
型号: BC640 品牌: Continental Device 封装: | 功能相似 | 0.8W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 80V Vceo, 1A Ic, 40 - 160 hFE | BC640ZL1和BC640的区别 | |
型号: MPS4250 品牌: 罗姆半导体 封装: | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A IC, 40V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | BC640ZL1和MPS4250的区别 |