BC237BZL1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC237BZL1G引脚图与封装图
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在线购买BC237BZL1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC237BZL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC237BZL1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC237BZL1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 100mA | 当前型号 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC237BRL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 100mA | 完全替代 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | BC237BZL1G和BC237BRL1的区别 |
| 型号： BC237BZL1 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 100mA | 完全替代 | 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon | BC237BZL1G和BC237BZL1的区别 |
| 型号： BC237BG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 45V 100mA 350mW | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR BC237BG. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 200 MHz, 350 mW, 100 mA, 150 hFE | BC237BZL1G和BC237BG的区别 |