BC487G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 5V
额定功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC487G引脚图与封装图
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在线购买BC487G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC487G | ON Semiconductor 安森美 | 大电流晶体管NPN硅 High Current Transistors NPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC487G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC487G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 60V 500mA | 当前型号 | 大电流晶体管NPN硅 High Current Transistors NPN Silicon | 当前型号 |
| 型号： BC487B 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN | 类似代替 | 大电流晶体管NPN硅 High Current Transistors NPN Silicon | BC487G和BC487B的区别 |
| 型号： BC489 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA | 功能相似 | 大电流晶体管（ NPN硅） High Current TransistorsNPN Silicon | BC487G和BC489的区别 |
| 型号： BC489A 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 80V 500mA | 功能相似 | 大电流晶体管（ NPN硅） High Current TransistorsNPN Silicon | BC487G和BC489A的区别 |