BC307C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
BC307C引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC307C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC307C | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier TransistorsPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号BC307C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC307C 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 -45V -100mA | 当前型号 | 放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier TransistorsPNP Silicon | 当前型号 |