BCY59IX中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 42.0 V
额定电流 100 mA
耗散功率 390 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 460
额定功率Max 390 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-18-3
外形尺寸
长度 5.8 mm
宽度 5.8 mm
高度 5.3 mm
封装 TO-18-3
物理参数
工作温度 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCY59IX引脚图与封装图
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在线购买BCY59IX
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCY59IX | ST Microelectronics 意法半导体 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Low Noise Audio | 搜索库存 |
替代型号BCY59IX
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCY59IX 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-18 42V 100mA | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Low Noise Audio | 当前型号 |
| 型号： BCY59IXLEADFREE 品牌： Central Semiconductor 封装： | 功能相似 | TO-18 NPN 45V 0.2A | BCY59IX和BCY59IXLEADFREE的区别 |