BUR51中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 300 V
额定电流 60.0 A
极性 NPN
耗散功率 350 W
集电极击穿电压 300 V
击穿电压集电极-发射极 200 V
最小电流放大倍数hFE 20 @5A, 4V
额定功率Max 350 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3
外形尺寸
封装 TO-3
物理参数
工作温度 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUR51引脚图与封装图
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在线购买BUR51
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUR51 | ST Microelectronics 意法半导体 | 大电流NPN硅晶体管 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号BUR51
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUR51 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TO-3 NPN 300V 60A 350W | 当前型号 | 大电流NPN硅晶体管 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： BUT92 品牌： 意法半导体 封装： TO-204AA | 功能相似 | 快速开关功率晶体管 FAST-SWITCHING POWER TRANSISTOR | BUR51和BUT92的区别 |
| 型号： BUR52 品牌： 意法半导体 封装： | 功能相似 | 大电流NPN硅晶体管 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR | BUR51和BUR52的区别 |