BF423,112

NXP(恩智浦) 分立器件

SPT PNP 250V 0.05A

Bipolar BJT Transistor PNP 250V 50mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 250V 0.05A TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK DLT PIN

艾睿:
Trans GP BJT PNP 250V 0.05A 830mW 3-Pin TO-92 Bulk

安富利:
PNP transistors in a TO-92 plastic package. NPN complements: BF420 and BF422.

Win Source:
TRANS PNP 250V 0.05A SOT54

BF423,112中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 830 mW

增益频宽积 60 MHz

击穿电压集电极-发射极 250 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 50 @25mA, 20V

额定功率Max 830 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF423,112引脚图与封装图

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在线购买BF423,112

型号	制造商	描述	购买
BF423,112	NXP 恩智浦	SPT PNP 250V 0.05A	搜索库存

替代型号BF423,112

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BF423,112 品牌： NXP 恩智浦封装： SOT-54 PNP	当前型号	SPT PNP 250V 0.05A	当前型号
型号： BF423L 品牌：恩智浦封装：	类似代替	PNP型高压晶体管 PNP high-voltage transistors	BF423,112和BF423L的区别
型号： BF423 品牌：安森美封装： TO-92 -250V -50mA	功能相似	高电压晶体管 High Voltage Transistors	BF423,112和BF423的区别
型号： BF823,215 品牌：恩智浦封装： TO-236AB PNP 0.25W	功能相似	BF823 系列 300 V 50 mA PNP 高压晶体管 - SOT23-3	BF423,112和BF823,215的区别