BC557,112

NXP(恩智浦) 分立器件

SPT PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 45V 100mA 100MHz 500mW Through Hole TO-92-3

得捷:
TRANS PNP 45V 0.1A TO92-3

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BULK DLT PIN

艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Bulk

BC557,112中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 500 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC557,112引脚图与封装图

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