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BC847CT116

BC847CT116

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

SOT-23 NPN 45V 0.1A

- 双极 BJT - 单 NPN 200MHz 表面贴装型 SST3


欧时:
General Purpose Transistor


得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A SST3


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 45V 1MA


安富利:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SST T/R


BC847CT116中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 45.0 V

额定电流 100 mA

极性 N-Channel, NPN

耗散功率 0.35 W

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.95 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BC847CT116引脚图与封装图
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BC847CT116 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 SOT-23 NPN 45V 0.1A 搜索库存
替代型号BC847CT116
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC847CT116

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: SST-3 N-Channel 45V 100mA 350mW

当前型号

SOT-23 NPN 45V 0.1A

当前型号

型号: BC847CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

BC847CT116和BC847CLT1G的区别

型号: BC848BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC848BLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE

BC847CT116和BC848BLT1G的区别

型号: BC847ALT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC847ALT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE

BC847CT116和BC847ALT1G的区别