
额定电压DC 45.0 V
额定电流 100 mA
极性 N-Channel, NPN
耗散功率 0.35 W
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420
最大电流放大倍数hFE 800
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC847CT116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | SOT-23 NPN 45V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC847CT116 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: SST-3 N-Channel 45V 100mA 350mW | 当前型号 | SOT-23 NPN 45V 0.1A | 当前型号 | |
型号: BC847CLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847CT116和BC847CLT1G的区别 | |
型号: BC848BLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC848BLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE | BC847CT116和BC848BLT1G的区别 | |
型号: BC847ALT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 45V 100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BC847ALT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE | BC847CT116和BC847ALT1G的区别 |