BCV47 TR
数据手册.pdf
Central Semiconductor
分立器件
BCV47 TR中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 10000 @100mA, 5V
额定功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BCV47 TR引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCV47 TR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCV47 TR | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 80Vcbo Trans 60Vceo 10Vebo 500mA | 搜索库存 |