BSP 51 E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSP 51 E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.00 A
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 2000 @500mA, 10V
额定功率Max 1.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
外形尺寸
封装 TO-261-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSP 51 E6327引脚图与封装图
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在线购买BSP 51 E6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP 51 E6327 | Infineon 英飞凌 | Trans Darlington NPN 60V 1A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |
替代型号BSP 51 E6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP 51 E6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 60V 1A | 当前型号 | Trans Darlington NPN 60V 1A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 当前型号 |
| 型号： BSP51,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 NPN 1250mW | 功能相似 | NXP BSP51,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 60 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFE | BSP 51 E6327和BSP51,115的区别 |
| 型号： BSP51 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-223 NPN 60V 800mA 1000mW | 功能相似 | Trans Darlington NPN 60V 1000mW 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | BSP 51 E6327和BSP51的区别 |