BFN 19 E6327

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans GP BJT PNP 300V 0.2A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

Bipolar BJT Transistor PNP 300V 200mA 100MHz 1W Surface Mount PG-SOT89

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon Hi-Volt TRANSISTOR

艾睿:
Trans GP BJT PNP 300V 0.2A 1000mW Automotive 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 300V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-89 T/R

BFN 19 E6327中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -300 V

额定电流 -200 mA

耗散功率 1000 mW

增益频宽积 100 MHz

击穿电压集电极-发射极 300 V

最小电流放大倍数hFE 30 @30mA, 10V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89-4

外形尺寸

长度 4.5 mm

宽度 2.5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOT-89-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFN 19 E6327引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BFN 19 E6327

型号	制造商	描述	购买
BFN 19 E6327	Infineon 英飞凌	Trans GP BJT PNP 300V 0.2A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R	搜索库存