
额定电压DC 60.0 V
额定电流 1.00 A
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-89-4
长度 4.5 mm
宽度 2.5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOT-89-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCX 55-16 E6327 | Infineon 英飞凌 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCX 55-16 E6327 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-89 60V 1A | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR | 当前型号 | |
型号: BCX5516E6433HTMA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT | 类似代替 | Trans GP BJT NPN 60V 1A Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R | BCX 55-16 E6327和BCX5516E6433HTMA1的区别 | |
型号: BCX55-16,115 品牌: 安世 封装: SOT-89-3 | 功能相似 | NXP BCX55-16,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 180 MHz, 4引脚 UPAK封装 | BCX 55-16 E6327和BCX55-16,115的区别 |