BSS123,215
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NXP
恩智浦
分立器件
BSS123,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 3.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 250 mW
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 150 mA
输入电容Ciss 40pF @25VVds
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 250mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业, Consumer Electronics, 消费电子产品, Power Management, Portable Devices, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Industrial, 便携式器材
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
BSS123,215引脚图与封装图 
BSS123,215引脚图
BSS123,215封装焊盘图
在线购买BSS123,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS123,215 | NXP 恩智浦 | NXP BSS123,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 3.5 ohm, 10 V, 2 V | 搜索库存 |
替代型号BSS123,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS123,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 N-Channel 100V 150mA | 当前型号 | NXP BSS123,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 150 mA, 100 V, 3.5 ohm, 10 V, 2 V | 当前型号 |
| 型号： BSS123LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 N-Channel 100V 170mA 6ohms 20pF | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，100V 至 1700V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | BSS123,215和BSS123LT1G的区别 |
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