频率 200 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 100 mA
额定功率 0.2 W
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323
封装 SOT-323
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC848BWT106引脚图
BC848BWT106封装图
BC848BWT106封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC848BWT106 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | BC848BW 系列 30 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SC-70 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC848BWT106 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: UMT NPN 30V 100mA 350mW | 当前型号 | BC848BW 系列 30 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SC-70 | 当前型号 | |
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型号: BC848CLT1G 品牌: 安森美 封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW | 功能相似 | NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. | BC848BWT106和BC848CLT1G的区别 | |
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