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BC848BWT106

BC848BWT106

数据手册.pdf
ROHM Semiconductor 罗姆半导体 分立器件

BC848BW 系列 30 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SC-70

- 双极 BJT - 单 NPN 200MHz 表面贴装型 UMT3


立创商城:
BC848BWT106


得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A UMT3


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R


Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323


BC848BWT106中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

额定功率 0.2 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 200 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC848BWT106引脚图与封装图
BC848BWT106引脚图

BC848BWT106引脚图

BC848BWT106封装图

BC848BWT106封装图

BC848BWT106封装焊盘图

BC848BWT106封装焊盘图

在线购买BC848BWT106
型号 制造商 描述 购买
BC848BWT106 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 BC848BW 系列 30 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SC-70 搜索库存
替代型号BC848BWT106
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC848BWT106

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装: UMT NPN 30V 100mA 350mW

当前型号

BC848BW 系列 30 V 100 mA 表面贴装 NPN 通用 晶体管 - SC-70

当前型号

型号: BC848BLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BC848BLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE

BC848BWT106和BC848BLT1G的区别

型号: BC848CLT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 30V 100mA 300mW

功能相似

NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

BC848BWT106和BC848CLT1G的区别

型号: BC848C-7-F

品牌: 美台

封装: SOT-23-3 NPN 350mW

功能相似

DIODES INC.  BC848C-7-F  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 300 MHz, 300 mW, 100 mA, 600 hFE

BC848BWT106和BC848C-7-F的区别