BC857BT116
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
BC857BT116中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
额定功率 0.35 W
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 210 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 210 @2mA, 5V
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BC857BT116引脚图与封装图 
BC857BT116引脚图
BC857BT116封装图
BC857BT116封装焊盘图
在线购买BC857BT116
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC857BT116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | SOT-23 PNP 45V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC857BT116
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC857BT116 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TO-236-3 PNP -45V -100mA 350mW | 当前型号 | SOT-23 PNP 45V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BCW70T116 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-23-3 -45V -100mA | 类似代替 | Bipolar Transistors - BJT PNP 45V 100mA | BC857BT116和BCW70T116的区别 |